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具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称北京创四方电子集团股份有限公司
  • 品       牌
  • 型       号
  • 所  在  地北京市
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2023/3/17 12:01:28
  • 访问次数675
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创四方集团是一家致力于新能源电流/电压传感器、新能源电抗器/特种变压器、小型精密电磁元器件、电动汽车交/直流充电桩电源、模块电源、开板电源、网格电源的研发、设计、生产、销售、服务的高新技术企业，总部位于中关村电子城科技园区IT产业园，拥有“BingZi兵字”和“TransFar创四方”两大自主品牌，产品覆盖全国并远销海外。集团拥有占地面积80余亩，建筑面积40000m²的福建产业基地(位于福建省南平市武夷新区高新技术产业园区内)。集团系中国电源学会理事单位，北京电源行业协会常务理事单位，中国电子质量管理协会会员单位， 电车人产业联盟理事单位，ISO9001质量体系认证单位，中国电子行业用户满意企业、用户满意产品单位。   经过多年发展，公司汇聚了一批高素质的专业技术人才，在各类产品上都能实现有针对性的专业性设计和高品质制造。所有产品都具有结构布局合理、隔离耐压高、散热好、环境适应能力强等显著优点，可广泛应用于新能源电动汽车、光伏发电、风力发电、电力智能化、铁路、工业控制系统、电力电子装置、智能仪器仪表、通用电器设备等不同行业复杂的使用环境中。    我公司的设计将以市场需求为导向，不断创新，关注客户并努力为客户创造价值，与业界同仁携手并进，共同为电子元器件市场和电力电子行业的繁荣与发展做出应有的贡献。
公司愿景：
让电与磁的结合更完美，致力成为电磁技术领域受人尊敬的世界一流企业。
公司使命：
让自动化更精准、更节能、更可靠、更安全。
核心价值观：
专业、专注；勤勉、务实；品质、安全；共赢、成长。
公司宗旨：
“创造一流，四海皆知，方显卓越”
质量方针：
提供优质产品，满足顾客不断增长和变化的需求，实现市场领先和利润增长的目标，从而体现“创造一流，四海皆知，方显卓越”的企业宗旨。
公司文化：
“敬业、实干”、“平等、尊重及团队精神”
公司目标：
“以新颖的设计思想，独到的经营理念和卓有成效的管理为基础，立足创新，实现市场领先和利润增长。”
变压器，互感器，电量传感器，模块电源，电抗器
DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的产品，以新型材料作为磁芯，可满足多项应用要求。
亿发彩票网址查询下载 产品信息

DRT 系列 IGBT 驱动变压器系我公司为驱动 IGBT 和 MOSFET 而专门研制的产品，以新型材料作为磁芯，可满足多项应用要求。


一．产品特点：

① 耦合电容低，使之具有很高的抗力；

② 漏感小，保证了更好的输出脉冲波形；

③ 无开关延时、瞬时传输功率高；

④ 抗电强度高，安全可靠；

⑤ 全封闭，机械和耐环境性能好；

⑥ 体积小巧 ，结构紧凑，外形美观，针脚穿孔式安装，使用方便。


二．使用条件 ：

① 环境温度：-40 ℃ ~+85 ℃ ；

② 相对湿度：温度为40 ℃ 时不大于90% ；

③ 大气压力：860~1060mbar(约为 650~800mmHg) 。

三．绝缘耐热等级 ： B 级(1 30 ℃ )


四．安全特性：

① 绝缘电阻：常态时大于1000MΩ ；

② 阻燃性：符合UL94-V0级 。


五．DRT系列驱动变压器各型号典型特性对比表 ：



序号

型号

变比

(u)

∫udt

(μV s )

耐压

V P

(kV)

外形尺寸

(mm) 3

重量

页码

1

DRT801/101A

1:1

280

3.1

16.6×12.5×13.5

4.9

127

2

DRT801/201A

2:1

280

3.1

16.6×12.5×13.5

4.6

127

3

DRT801/301A

3:1

280

3.1

16.6×12.5×13.5

4.8

127

4

DRT801/111B

1:1:1

280

3.1

16.6×12.5×13.5

5.0

127

5

DRT801/211B

2:1:1

280

3.1

16.6×12.5×13.5

4.6

127

6

DRT801/311B

3:1:1

280

3.1

16.6×12.5×13.5

4.6

127

7

DRT802/101A

1:1

310

3.1

20.2×20×14.5

7.8

127

8

DRT802/201A

2:1

310

3.1

20.2×20×14.5

7.5

127

9

DRT802/301A

3:1

310

3.1

20.2×20×14.5

8

127

10

DRT802/111B

1:1:1

310

3.1

20.2×20×14.5

7.6

127

11

DRT802/211B

2:1:1

310

3.1

20.2×20×14.5

7.5

127

12

DRT802/311B

3:1:1

310

3.1

20.2×20×14.5

7.3

127





序号

型号

变比

(u)

∫udt

(μV s )

耐压

V P

(kV)

外形尺寸

(mm) 3

重量

页码

13

DRT803/101A

1:1

1000

6

30.14×27.94×25

36.5

128

14

DRT803/201A

2:1

1000

6

30.14×27.94×25

34.3

128

15

DRT803/301A

3:1

1000

6

30.14×27.94×25

35

128

16

DRT803/111B

1:1:1

1000

6

30.14×27.94×25

35

128

17

DRT803/211B

2:1:1

1000

6

30.14×27.94×25

34.3

128

18

DRT803/311B

3:1:1

1000

6

30.14×27.94×25

34.8

128

1 9

DRT804/101A

1:1

480

4.5

23×23×22

17.8

129

2 0

DRT804/201A

2:1

480

4.5

23×23×22

17.8

129

21

DRT804/301A

3:1

480

4.5

23×23×22

17.3

129

22

DRT804/111B

1:1:1

480

4.5

23×23×22

18.1

129

23

DRT804/211B

2:1:1

480

4.5

23×23×22

18.3

129

24

DRT804/311B

3:1:1

480

4.5

23×23×22

18.5

129

25

DRT805/101A

1:1

1000

4.5

27.6×25.1×20

23.5

129

26

DRT805/201A

2:1

1000

4.5

27.6×25.1×20

23.5

129

27

DRT805/301A

3:1

1000

4.5

27.6×25.1×20

23.8

129

28

DRT805/111B

1:1:1

1000

4.5

27.6×25.1×20

24

129

29

DRT805/211B

2:1:1

1000

4.5

27.6×25.1×20

23.3

129

30

DRT805/311B

3:1:1

1000

4.5

27.6×25.1×20

23.5

129

31

DRT806/101A

1:1

40

3.1

14×9.5×15

3.0

130

32

DRT806/201A

2:1

40

3.1

14×9.5×15

3.8

130

33

DRT806/301A

3:1

40

3.1

14×9.5×15

3.8

130

34

DRT807/101A

1:1

110

3.1

14×13.7×12

3.9

130

35

DRT807/201A

2:1

110

3.1

14×13.7×12

3.8

130

36

DRT807/301A

3:1

110

3.1

14×13.7×12

2.8

130

37

DRT807/111B

1:1:1

110

2.5

14×13.7×12

3.9

130

38

DRT807/211B

2:1:1

110

2.5

14×13.7×12

3.8

130

39

DRT807/311B

3:1:1

110

2.5

14×13.7×12

3.8

130

40

DRT808/101A

1:1

150

3.1

16.6×14.8×14.3

3.8

131

41

DRT808/201A

2:1

150

3.1

16.6×14.8×14.3

4.1

131

4 2

DRT808/301A

3:1

150

3.1

16.6×14.8×14.3

4.3

131

43

DRT808/111B

1:1:1

150

2.5

16.6×14.8×14.3

5.8

131

44

DRT808/211B

2:1:1

150

2.5

16.6×14.8×14.3

5.9

131

45

DRT808/311B

3:1:1

150

2.5

16.6×14.8×14.3

6

131

46

DRT8 11 /101A

1:1

8 0

4.5

22.5 × 22.5 ×1 6

7.5

131

47

DRT8 11 /201A

2:1

15 0

4.5

22.5 × 22.5 ×1 6

6.8

131

48

DRT8 11 /301A

3:1

24 0

4.5

22.5 × 22.5 ×1 6

6.0

131

49

DRT8 11 /111B

1:1:1

9 0

4.5

22.5 × 22.5 ×1 6

7.0

131

50

DRT8 11 /211B

2:1:1

1 5 0

4.5

22.5 × 22.5 ×1 6

6.5

131

51

DRT8 11 /311B

3:1:1

24 0

4.5

22.5 × 22.5 ×1 6

6.2

131

说明：

① 上表中所给出的参数是在室温下测得的典型值。

② 各参数的意义：

    u— 变比 = Ⅰ：Ⅱ：Ⅲ

    V P — 各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值，持续时间 60s

    ∫udt— 额定伏微秒积 ≈V 1 ·t n ( 在一定频率范围内其值基本不变 )

    L P — 线圈初级电感量   f=1000Hz  V=0.3V

    L S — 漏感 ( 将次级绕组短路后测量 ) f=1000Hz  V=1V

    C K — 分布电容    f=1000Hz  V=1V

六．选型指南：

① 首先根据系统的工作电压 V 。 ( 有效值 ) 来确定所需的抗电强度 Vp ，可按表 1 推荐选择：

表 1 ：

工作电压

V。

220V

380V

500V

800V

抗电强度

Vp

1.9 kV

3.1  kV

4.5  kV

6  kV

② 根据控制级电源电压和 IGBT 需要的驱动电压选择变比。

例如：若初级脉冲幅值为 15V ，为了使 IGBT 可靠驱动，则需要选择变比为 1:1 的驱动变压器，如 DRT801/101A 、 DRT801/111B 或 DRT802/101A 等。若初级脉冲幅值为 24-30V ，为了使 IGBT 可靠驱动，则需要选择变比为 2:1 的驱动变压器，如 DRT801/201A 、 DRT801/211B 或 DRT802/201A 等。

③ 根据伏微秒积 (∫udt) 及驱动脉冲的频率 ( f p) ，按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内 DRT 驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型。

例如：若调制脉冲的频率为 20 k Hz ，脉冲幅度为 15V ，脉宽为 20μ s ，则其伏微秒积 ∫udt=15×20=300 μV s ，按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内 DRT 驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型，可选 DRT802 系列产品。若调制脉冲的频率为 50kHz ，脉冲幅度为 24V ，脉宽为 10μ s ，则其伏微秒积 ∫udt=24×10=240μV s ，按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内 DRT 驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型，可选 DRT801 系列产品。

七．使用指南 ：

① 典型应用电路：

1573798024(1).jpg

② 说明：

ⅰ ．R 1 、D 1 主要起续流作用。D 1 一般可选1N4007， R 1 可选1kΩ~2 kΩ；

ⅱ ．D 2 、D 3 ，R 2 、R 3 主要起整形和防止IGBT栅极开路并提供放电回路。 D 2 、D 3 可选用加速二极管，用以提高IGBT的开关速度， R 2 、R 3 可选几十欧姆~几百欧姆。

ⅲ ．D 4 、D 5 主要起限制加在IGBT(g-e)端的电压作用，避免过高的栅射电压击穿栅极。

ⅳ ．驱动变压器的使用频率可以在几kHz ~几十 kHz 之间。

八． DRT 系列 IGBT 驱动变压器的各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数 ( 典型值 )

① 各参数的意义：

    u— 变比 = Ⅰ : Ⅱ : Ⅲ 。

    V P — 各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值，持续时间 60 s 。

    ∫udt— 额定伏微秒积 ≈V 1 ·t n ( 在一定频率范围内其值基本不变 ) 。

    V 1 — 输入脉冲幅度 ( 初级脉冲电压 ) 。

    t n — 在相应的 V 1 和 f P 下驱动变压器的额定传输脉宽。

    V 2 — 输出脉冲幅度 ( 次级脉冲幅度 ) 。

    R L —IGBT 模块或 MOSFET 控制级等效电阻。

    L P — 线圈初级电感量   f=1000Hz  V=0.3V

    L S — 漏感 ( 将次级绕组短路后测量 ) f=1000Hz  V=1V

    C K — 分布电容    f=1000Hz  V=1V


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